時代の要請に応えるために、既存の枠組みを超える革新的なアプローチを追求しています。SiCパワー半導体の設計においても、従来の概念にとらわれず、新しい視点から問題解決に取り組んでいます。高い効率性、高速スイッチング、高耐圧性など、革新技術を組み込んだデバイスの開発に挑戦しています。