1.高性能と高信頼性: ハイブリッドSiCディスクリートは、シリコンとSiCの組み合わせにより、高性能と高信頼性を実現します。シリコンの利点とSiCの利点を両立させることで、より優れた性能が得られます。

2.高速スイッチング: SiC素子は高いスイッチング速度を持つため、高周波数での電力変換が可能です。これにより、高効率な電力制御が実現できます。

3.低逆回復時間: ショットキーダイオードとしてのSiCの特性により、低い逆回復時間を持ちます。スイッチング損失が低減し、高効率な電力変換が可能です。

4.高温動作: SiC素子は高温での動作に耐える特性があります。高温環境下でも安定した性能を維持できます。

5.低輻射ノイズ: 高速スイッチングにより、輻射ノイズが低減します。電磁干渉（EMI）を抑制し、周囲の電子機器との相互干渉を軽減します。

6.高い耐圧性: SiC素子は高い耐圧性を持つため、高電圧アプリケーションでの使用に適しています。

7.環境への配慮: 高い効率性により、エネルギー消費を削減し、省エネルギー化に寄与します。